电源电路堪称电子设备的核心命脉，而其中开关电源凭借其高效、紧凑与优异的适配性，已成为当前电源方案的主流选择。在此背景下，如何合理选择开关电源中的滤波电容，成为影响整机性能的关键一环。多层瓷介电容器（MLCC）以其高比容、高性能、高可靠性及低ESR等优势，正日益凸显其在开关电源中不可或缺的地位——无论是在输入与输出端的滤波环节，还是在谐振、缓冲等关键电路中，MLCC都发挥着至关重要的作用，成为提升电源系统效能与稳定性的重要支撑。例：如图所示（图1），在设计一个开关电源电路时，需要用到电容器作为滤波电容使用，C1为输入滤波电容器，C2为输出滤波电容器，对于高频开关电源，C1和C2都可采用多层瓷介电容器，构成全瓷型开关电源。图1那么，在开关电源电路中如何选用多层瓷介电容器才能得到最佳滤波效果？首先要明确滤除的源（信号）的频率（频谱）分布，最好知道能量分布情况（图2）。图2其次要了解多层瓷介电容器的阻抗频率特性（图3）。Ø  在阻抗频率特性曲线中，阻抗最低点的频率是电容器的自谐振频率ƒ0；Ø       当工作频率低于ƒ0时，电容器呈容性；Ø       当工作频率等于ƒ0时，电容器呈阻性，并且此时的阻抗最小，仅与ESR相关；Ø       当工作频率大于ƒ0时，电容器呈感性。由于电容器在自谐振频率ƒ0时阻抗值最小，因此选择“自谐振”频率越接近噪声频率的电容器其滤波效果越好。图3一般情况下噪声的频谱特性都较为复杂，能量分布不均，一般低频较大、高频较小。为到达最佳的滤波效果，可采用多只不同容量的电容并联（图4）。但在并联应用时一定要注意反谐振现象。图4反谐振是发生在两个电容器间的自谐振频率不同时的一种现象，并联谐振发生在其中一个电容器的感性区以及另一个电容器的容性区，在这个频段造成总的阻抗增加（图5）。因此，插入损耗在出现反谐振的地方会变小。图5消除反谐振主要有以下两种方法：Ø  在并联电容器中间加入铁氧体磁珠；Ø  使用低ESL、低ESR的电容器，比如三端电容器。 那么，对于开关电源输出滤波电容，如何计算？开关电源相对于线性电源，工作频率更高，功率更大，结构更复杂，滤波范围主要是电源的开关频率及高次谐波（图6）。图6滤波电容需满足以下四点：Ø  满足可靠性设计要求；Ø  满足电源输出电压对纹波的要求；Ø  满足电源输出电压对噪声的要求；Ø  自发热温升满足设计要求。输出滤波电容Cout的最小电容量可根据加载到输出电容器上的电流变化量△I、稳态电容充电时间ton和技术指标要求的基波纹波电压峰峰值△V来计算（图7）。其中△I与电源拓扑结构、扼流圈、变压器参数、电流系数和输出电流额定值有关。电容量选型时还需考虑频率、直流偏压、工作温度、长时间工作对电容值的影响。图7除此之外，电容器的寄生参数ESR、ESL也将引起电压尖峰或电流尖峰，这些尖峰一般叠加在基波纹波上，表现为与基波纹波同步，此尖峰的峰峰值成为开关电源输出电压噪声。因此需要计算输出电容器的ESR和ESL最大值，具体方法如下：输出滤波电容ESR的最大值可根据开关电源输出电压噪声△VESR和加载到输出电容器上的电流变化量△I来计算(图8)。电容器ESR选型时还应注意频率、工作温度、引入分布电阻、长时间工作和储存、自发热温升对ESR的影响，同时考虑设计冗余性；图8输出滤波电容ESL的最大值可根据输出电压噪声要求△VESL、加载到输出电容器上的电流变化量△I和稳态电容充电时间ton来计算(图9)。电容器ESL选型时还应注意频率、工作温度、引入分布电感、长时间工作和储存对ESL的影响，同时考虑设计冗余性；图9开关电源输出电压纹波噪声峰峰值VP-P包括电容充、放电引起的电压波动△V、脉动电流在电容ESR（包含分布电阻）引起的输出电压波动△VESR、脉动电流在电容的ESL（包含分布电感）引起的输出电压波动△VESL(图10)；图10在实际选择应用中，大部分情况单只电容器可能无法满足上述设计要求，可以选择多只电容器并联或设计多级滤波的方法来达到设计指标要求。最后总结一下：若要获得较好的滤波效果需明确要滤除的源的频率分布、了解多层瓷介电容器的阻抗频率特性，并联电容设计需防止反谐振现象

七十六载砥砺行，盛世华章日月新万里河山披锦绣，千秋伟业耀古今 鸿远电子秉承实业报国的初心与使命与时代同频，与祖国共进  在鸿远研发室里闪耀的，是创新的星火每一次技术突破，都是对品质的追求生产线上跃动的，是奋斗的脉搏每一次产品打磨，都是对匠心的传承市场前沿奔走的，是担当的身影每一次需求响应，都是对承诺的恪守 从制造到智造，从坚守到突破只要是国家所需便是我们心之所向、行之所往！  致敬伟大时代，感恩脚下热土我们愿倾尽全部智慧与汗水为中华民族伟大复兴贡献力量！ 值此共和国76华诞全体鸿远人谨以拳拳赤子之心，祝福祖国：九州安泰，繁荣永固国运恒昌，盛世长虹  

9月19日下午，由北京市工商联、通州区人民政府联合举办的2025北京民营企业百强发布会于北京国际财富中心紫金厅盛大启幕。此次发布会旨在深入贯彻落实习近平总书记在民营企业座谈会上的重要讲话精神，助推首都民营经济高质量发展。全国工商联、北京市委统战部、北京市工商联、通州区政府相关领导，以及业界专家、入围企业代表齐聚一堂，共同见证这一标志着北京民营经济高质量发展的重要时刻。会上，备受瞩目的“2025北京民营企业百强”、“2025北京民营企业科技创新百强”、“2025北京民营企业文化产业百强”、“2025北京民营企业专精特新百强”榜单，以及“2025北京民营企业优秀投资案例”、“2025北京民营企业社会责任优秀案例”名单正式发布。鸿远电子凭借在市场表现、技术创新与运营实力上构筑的综合竞争力，成功荣登“北京民营企业专精特新百强”榜单，并一举斩获第四名，成为首都民营经济高质量发展的典型代表。  公司董事会秘书、财务总监李永强代表公司参加发布会，并上台领受荣誉牌匾。“北京民营企业专精特新百强”是今年新设立的奖项，以北京市“专精特新”企业作为参评范围，以企业2024年度经营情况、产业发展定位、从事行业年限、研发创新能力等为核心指标，同时综合考量企业依法合规经营、诚实守信等方面的表现，根据对核心指标与辅助指标的量化赋值，最终确定入围企业名单。在此次评选中，鸿远电子凭借在专业领域的深厚沉淀荣登榜单前列，这份荣誉不仅是对企业过往坚守实业发展、坚持科技创新的高度认可，更坚定了企业深耕主业、追求卓越的信心。展望未来，鸿远电子将继续牢记“实业报国”的初心使命，坚定地向“新”而行、向“高”攀登，在推动行业进步、助力首都经济社会发展的进程中，持续贡献更多力量。

一、产品简介硅电容器（Silicon Capacitors）是一种基于半导体制造工艺，融合了MOS工艺与MEMS技术，通过微纳米级结构设计制造的电子元件，它突破了传统MLCC和SLCC的性能边界，为射频微波电路、高性能数字IC、精密模拟电路等对电子元器件性能、稳定性和集成度要求极高的应用场景提供了新的电容解决方案。硅电容按内部结构特点可分为2D硅电容器和3D硅电容器。2D硅电容器是一种以高掺杂硅作为电极和基底，通过化学气相沉积或热氧化在其表面生成介质层的电容器。3D硅电容器是在2D硅电容器基础上，为了突破二维平面限制、追求更高容量密度而发展起来的具备特殊三维结构的产品。通过利用半导体微加工技术（特别是深硅刻蚀等MEMS技术）在硅衬底上制造出三维立体结构，从而增加介质层的有效面积来显著提升单位面积内的电容量。二、产品特点与传统电容器（如MLCC、钽电容）相比，硅电容具有以下显著优点：Ø  超高精度：介质层是通过CVD或热生长形成的，厚度和成分非常均匀，电容值由面积和介质厚度决定，因此电容器的容值偏差可以做到非常小（可达±0.1%或更高）。Ø  高温度稳定性：硅电容产品采用氮化硅或二氧化硅作为介质材料，在-55℃～150℃的温度范围内，温度系数仅为±100ppm/℃。Ø  优异的高频特性：硅电容使用的介质材料和结构特点，使其具有很低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），其在很宽的频率范围内保持容量的稳定性。 Ø  高长期可靠性：硅电容采用半导体薄膜工艺，可保证介质致密性与均匀性，电容器长期可靠性、批次一致性优异。Ø  高容量密度：3D硅电容通过在垂直方向上构建三维结构（如深沟槽等），极大地增加电极的有效面积，单位面积电容量较2D硅电容器可提升10～100倍，实现进一步小型化的同时保留了上述高精度、高稳定性、优异的高频性能和高稳定性的特点。三、应用领域Ø  高端通信设备：5G基站、射频功放、光模块、网络设备等中的射频电路和高速数字处理单元。Ø  汽车电子：电动汽车和智能驾驶系统，如发动机控制单元、车载信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统（ADAS）、激光雷达（LiDAR） 等对温度和可靠性要求高的场合。Ø  工业与医疗电子：工业自动化控制系统、医疗设备（特别是植入式医疗设备），这些应用对元件的长期稳定性和可靠性有极致要求。Ø  航空航天与国防：用于航空电子系统、飞机发动机控制等对温度稳定性要求较高的电路中。四、产品结构和电极形式公司硅电容分为2D硅电容和3D硅电容，采用在二维平面结构或具有沟槽结构的三维立体结构上沉积介质材料，并覆盖金电极作为引出端，形成可金丝键合的微组装用硅电容或表面贴装（SMT）用硅电容。1、硅电容器内部结构 2、2D硅电容产品电极形式 3、3D硅电容产品电极形式五、产品典型容值范围1、2D硅电容典型容值范围产品系列尺寸（mm）容量（pF）122334710022047010001500D系列0.254*0.2540.508*0.5080.762*0.7621.016*1.0161.270*1.270G系列0.254*0.7620.508*1.2700.762*2.0321.016*2.0321.270*2.0322、3D硅电容典型容值范围产品系列尺寸（mm）容量（pF）100022004700100002200047000100000D系列0.254*0.2540.508*0.5080.762*0.7621.016*1.0161.270*1.270H系列0.400*0.2000.600*0.3001.000*0.5001.600*0.8002.000*1.250六、质量保证基于硅电容产品特点，公司结合多年电容器开发、供货经验，制定了一整套质量保证方案。包括其介质层的质量评估、产品一致性评估、产品测试分选、寿命评估等。在生产、供货过程中，主要开展的检验项目如下：检验阶段检验项目主要项目产品开发阶段基础性能评估容量、损耗角正切、耐压等结构分析膜层结构、膜层致密性等可靠性评估温度冲击、稳态湿热、耐焊接热、静电放电、高温寿命生产过程结构分析膜层结构电性能测试分选容量、损耗角正切、耐压等外观测试分选表面缺陷，边缘缺陷等七、产品安装方式硅电容适配打线和SMT贴片安装工艺，可与各类半导体器件良好兼容，安装示意图如下。八、小结硅电容器并非要取代传统的MLCC，而是作为一种高性能、高稳定性电容器的补充技术，在特定的高端应用领域，尤其是需要与半导体芯片集成的场景中，发挥着重要作用。公司深耕电容领域数十年，对电容产品有着深入的理解，公司拥有完善的电容制造以及可靠性检验设备和资质。公司基于对介电材料的认识和电容器应用的积累，开发了系列化的硅电容产品，为客户在高频、高稳定性电路领域应用提供更优的产品解决方案。 

2025年9月3日上午9时，中国人民抗日战争暨世界反法西斯战争胜利80周年纪念大会隆重举行。中共中央总书记、国家主席、中央军委主席习近平发表重要讲话，深切回顾历史、致敬英烈，宣示和平决心、凝聚奋进力量，在全国人民心中激起强烈共鸣。 阅兵扬威 雄狮亮剑在万众瞩目的阅兵式上，习近平总书记乘检阅车沿长安街前行，检阅受阅部队，并向官兵致以“同志们好!”、“同志们辛苦了!”的亲切问候，饱含了对广大官兵的深情关怀与对人民军队的高度肯定。分列式中，一支支威武之师步伐铿锵、气势如虹，每一步都踏在民族复兴的坚定节拍上；一批批自主研发的新型装备依次亮相，展现出国防和军队现代化建设的重大成就，每一件都彰显着祖国强大的硬核实力。 盛典在目 荣光于心在这庄严的历史时刻，鸿远电子副董事长郑小丹荣幸受邀到现场观礼。这份殊荣，不仅属于她个人，更体现了党和国家对鸿远电子长期以来坚守实业、深耕国防建设的充分肯定，这也令公司全体员工倍感振奋与鼓舞。今天，公司组织全国各地鸿远人同步观看大会直播。在北京总部，公司董事长及各级领导干部、党员群众、员工代表齐聚一堂，共同观看。直播正式开始前，郑红董事长进行动员讲话，他请全体员工务必铭记历史，从历史中汲取奋进力量。同时他认为，此次阅兵是中国向全世界作出的庄严宣告，在中国共产党的领导下，中国人民实现了从站起来到强起来的伟大跨越，彰显出全国人民捍卫国家主权、维护国家利益与尊严，保卫世界和平的坚定决心和强大底气。他还表示，鸿远电子几十年来作为国防事业发展的积极参与者，诸多产品已广泛应用于众多大国重器中，这离不开每一位鸿远人的智慧与心血，也是我们的自豪与荣耀！最后，郑红董事长特别强调：未来，鸿远电子将继续毫无保留地投身国家的国防建设事业，为了民族的复兴，国家的强盛，竭尽全力为国家贡献一切力量。同时，我个人愿在国家需要时，无条件地将属于自己的一切，全部奉献给国家。   苏州会场集中观看直播 成都会场集中观看直播 合肥会场集中观看直播 铭记历史 扬我国威大会开始前，公司党总支专门组织全体党员开展 “铭记历史 · 扬我国威” 主题学习教育活动，以此深切缅怀为民族独立与解放英勇献身的革命先烈。活动中，大家深入回顾抗战时期艰苦卓绝的奋斗历程，重温革命先辈的英雄事迹，深刻感悟初心使命。通过学习，全体党员从伟大抗战精神中汲取奋进力量，爱国主义情怀与岗位责任意识进一步增强，凝聚起恪尽职守、奋发作为的担当共识，更坚定了新时代立足本职、报效国家的坚定决心。 荣誉见证 担当奋进当我国自主研发的现役主战装备驶过天安门，鸿远人心中热血沸腾，这是人民军队新一代武器装备的集中亮剑，是祖国国防实力的生动见证。更令人自豪的是，这些捍卫国家主权、彰显大国底气的“重器”背后，也都凝结着我们鸿远人的智慧与汗水！此刻，研发室里的潜心钻研、生产线上的精益求精、实验台前的反复推敲，所有平凡的坚持，都被赋予了更深刻的意义。荧幕前，大家神情专注、心潮澎湃，手中的国旗与脸上的自豪相互映照。这不仅是一次阅兵观礼，更是一次直抵人心的精神洗礼。大家由衷地表示，要把这一刻的震撼与感动化为奋进的力量，把对祖国的热爱、对使命的担当，融入每一次服务保障的坚守中，用我们的方式，继续守护这份光荣与梦想。 实业报国 奋起新程鸿远电子自成立之日起，便将实业报国的初心融入血脉。数十年来深耕电子元器件领域，以科技创新赋能发展，我们用日复一日的拼搏，努力践行着“国家的需要，就是企业的使命”这一坚定信念。八十载风雨兼程，复兴之路步履铿锵。这场举世瞩目的盛大活动，是对抗战胜利的隆重致敬，是对革命先烈的深切缅怀，更是对和平发展的庄严宣誓。站在新的历史起点，鸿远电子将始终与祖国同呼吸、共命运，铭记历史、开创未来，以更前沿的技术、更可靠的产品，为服务新时代国家战略、服务国防建设贡献更多鸿远力量。 

多层片式瓷介电容器作为电子工业不可或缺的核心基础元器件，在电子电路中起滤波、耦合、隔直、旁路等关键作用。作为适用于高密度微组装工艺的多层芯片瓷介电容器，以其微型化尺寸、高容量密度、低等效串联电阻（ESR）及低等效串联电感（ESL）等显著技术优势，在现代电子系统中扮演着重要的角色，其战略价值日益突显。在高可靠性应用领域，如电子对抗、雷达系统、导航制导及卫星通信等关键系统中，多层芯片瓷介电容器凭借其卓越性能获得广泛应用。在民用及工业应用领域，其应用前景同样极为广阔，目前已经广泛应用于5G通信基础设施、高速光通信模块、激光雷达等前沿技术领域。随着射频微波通信技术、雷达、电子站、光通信技术、精密测量仪器以及自动驾驶等高端产业的蓬勃发展，现代电子设备对小型化、轻量化、高集成度的追求日趋迫切。特别是在光通信组件集成化与汽车雷达小型化的强劲需求牵引下，市场对超微型多层芯片瓷介电容器的需求日益旺盛。为响应这一行业趋势，星空官方网页版公司依托技术创新，成功研制出012012尺寸多层芯片瓷介电容器，尺寸代码012012（0.30mm×0.30mm）。该系列产品在关键的产品尺寸与电容量等核心性能指标上实现了突破性进展，有效解决了微型化与高容值兼顾的技术难题。目标在于为新一代高度小型化的通信设备提供性能更优、体积更小、可靠性更高的芯片电容解决方案，为电子信息技术向更微型、更智能的方向持续演进提供有力技术支撑。星空官方网页版多层芯片瓷介电容器产品，自面市以来凭借优异的性能和可靠性，赢得了市场的广泛认可。为积极响应电子产品日益小型化、高集成化的发展要求，满足客户对更小尺寸、更高容量的迫切需求，我司在现有成熟产品015015（0J0J）规格（0.38mm×0.38mm×0.30mm）基础上，成功开发并推出全新012012（0G0G）规格（0.30mm×0.30mm×0.20mm）超小型多层芯片瓷介电容器。此次推出的012012多层芯片瓷介电容器，其产品体积由015015规格的0.043mm³大幅缩减至0.018mm³，体积降幅高达约58%。该产品的成功研制，进一步拓展了国内外超小型多层芯片瓷介电容器的尺寸范围，实现了显著的技术突破，可为国内外客户提供新的超小尺寸多层芯片瓷介电容器解决方案。以1000pF规格为例，012012多层芯片瓷介电容器相较于原有015015、0202尺寸实物对比如下：星空官方网页版CT41A（MA）系列012012超小型多层芯片瓷介电容器的研发成果，标志着公司在多层芯片瓷介电容器领域达到行业领先水平，超小芯片电容产品工艺平台日趋成熟，为下游客户开发更前沿、更精密的电子产品提供了核心元器件支持！